Vezető: Illés Balázs

Az ólommentes forrasztás bevezetése miatt megjelenő számos különböző anyagú kontaktusfelület bevonat miatt ismét előtérbe kerültek az ón „whisker” (tűkristály) jelenségek valamint az elektrokémiai migráció kutatása, amely része a BME stratégiai dokumentumának.

Az elektrokémiai migráció során feszültség alatt lévő vezetősávok között a fémek ionizációja következtében vezető dendritek növekedése tapasztalható. Mindkét hibajelenség esetén rövidzár veszély lép fel, ezzel nagyban csökkentve a napjainkban egyre finomabb felbontású áramköreink élettartamát. A fenti folyamatok jellemzően nem nanométeres mérettartományban játszódnak le, azonban a hozzájuk kapcsolódó transzportjelenségek a nanofizika eszköztárával tárgyalhatók. A felületek anyagtudományi vizsgálata is segít a whiskernövekedés leírásában, amelyre a mai napig nincs kielégítő magyarázat.

A kutatás célja a kiváltó és befolyásoló tényezők feltérképezése és a jelenség előfordulásának csökkentése, valamint a különböző kontaktus felület bevonatok elektrokémiai migrációs tulajdonságainak vizsgálata és vizsgálati módszereinek fejlesztése.